填充方钴矿中的拓扑绝缘体
材料科学
2012-05-01 v1
摘要
基于第一性原理计算，我们提出了在铈填充方钴矿(FS)化合物中的新型拓扑绝缘体。我们发现CeOs4As12和CeOs4Sb12这两种化合物是零带隙材料，其Os-d轨道与Ce-f轨道之间存在能带反转，因此它们就像体相HgTe一样，是二维和三维拓扑绝缘体的母体化合物。在低温下，这两种化合物都成为拓扑近藤绝缘体，即体相为近藤绝缘体，但在边界上具有稳健的狄拉克表面态。与之前的拓扑绝缘体相比，这一新家族具有两个优势。首先，它们可以与其他超导FS化合物产生良好的邻近效应，从而实现马约拉纳费米子。其次，CeOs4Sb12在低温下的反铁磁性为利用新颖拓扑现象实现有质量狄拉克费米子提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.1104.0641,
title = {Topological insulators in filled skutterudites},
author = {Binghai Yan and Lukas Müchler and Xiao-Liang Qi and Shou-Cheng Zhang and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0641},
year = {2012}
}
备注
4 page, 3 figures