莫比乌斯近藤绝缘体
强关联电子
2017-08-03 v4 材料科学
摘要
重费米子材料近来因其将拓扑保护与强关联电子物理相结合的潜力而备受关注。迄今为止，拓扑保护的思想仅限于具有最简单点群对称性的重费米子或“近藤”绝缘体。本文我们指出，许多重费米子材料中存在的非点式晶体对称性开启了一类新的拓扑保护重电子体系。对非点式重费米子绝缘体CeBiPt和CeNiSn的档案电阻率测量的重新检验揭示了低温电导平台的存在，使它们成为这类新材料的候选成员。我们以CeNiSn的一个具体模型阐释我们的思想，展示滑移对称性如何产生具有新颖莫比乌斯编织的表面态，这可通过ARPES或非局域电导测量探测。强关联的一个有趣效应是在表面上发生部分局域化或“近藤崩塌”，将莫比乌斯表面态转变为准一维导体，并有可能引发新颖的电子相变。
引用
@article{arxiv.1603.03435,
title = {M\"obius Kondo Insulators},
author = {Po-Yao Chang and Onur Erten and Piers Coleman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.03435},
year = {2017}
}
备注
Revised version. 24 pages, 9 figures, accepted by Nature Physics