拓扑 Kondo 绝缘体
强关联电子
2016-04-20 v1
摘要
本文综述了关于一类新型拓扑材料——拓扑 Kondo 绝缘体——的最新理论和实验工作，该类材料通过强关联与自旋轨道相互作用的相互作用而发展出来。文章回顾了 Kondo 绝缘体的历史以及用于描述这些重费米子化合物的理论模型。使用 Fu-Kane 绝缘体拓扑分类方法表明，这些系统中传导电子与局域化 f 电子之间的杂化导致了相互作用诱导的拓扑绝缘行为。最后，讨论了一些最近的实验结果，这些结果似乎证实了在六硼化钐（Samarium hexaboride）中拓扑绝缘行为的理论预测，其中长期存在的残余低温电导之谜已被证明源于鲁棒的表面态。
引用
@article{arxiv.1506.05635,
title = {Topological Kondo Insulators},
author = {Maxim Dzero and Jing Xia and Victor Galitski and Piers Coleman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.05635},
year = {2016}
}
备注
Accepted as an article in the Annual Review of Condensed Matter Physics, Volume 7 (2016)