立方拓扑近藤绝缘体
强关联电子
2014-03-21 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
当前的近藤绝缘体理论采用了传导电子与源自四方晶体环境的局域 Kramers 二重态之间的相互作用，然而所有近藤绝缘体均为立方结构。在此，我们发展了一种立方拓扑近藤绝缘体理论，涉及自旋四重态与传导海之间的相互作用。自旋四重态极大地增加了强拓扑绝缘体的可能性，完全消除了相图中的弱拓扑相。我们表明，立方近藤绝缘体中的相关拓扑行为只能存在于布里渊区中对称性较低的 X 或 M 点，从而导致具有重准粒子的三个狄拉克锥。
引用
@article{arxiv.1303.7224,
title = {Cubic Topological Kondo Insulators},
author = {Victor Alexandrov and Maxim Dzero and Piers Coleman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.7224},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 4 figures and supplementary materials. Clarifying remarks added