拓扑近藤绝缘体中的克拉默斯双重态基态
强关联电子
2019-07-01 v2
摘要
我们考虑近藤绝缘体最简单的变体，其中局域化电子的双重态与自旋简并的导带电子杂化。我们分析了参与杂化的轨道的对称性，并指出此类体系的有效四带模型与具有手征对称性的模型绝热相连，这为洁净近藤绝缘体提供了进一步的描述。我们得到了拓扑非平庸态出现的一般条件，并讨论了其对稀土基化合物的启示。作为一个例子，我们推导了四方近藤绝缘体的完整相图。我们表明，当导带电子的带宽设定为最大能量尺度时，手征对称性导致非平庸拓扑相，并且随着能带中心间归一化距离的变化出现了一种新的弱拓扑相。
引用
@article{arxiv.1809.05850,
title = {Kramers' doublet ground state in topological Kondo insulators},
author = {M. A. Griffith and M. A. Continentino and T. O. Puel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.05850},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 2 figures