拓扑 Kondo 绝缘体表面上的强相互作用 Dirac 液体
介观与纳米尺度物理
2015-02-20 v2
摘要
拓扑 Kondo 绝缘体（TKI）是一种强关联材料，其中传导电子与局域 f 电子之间的杂化导致了从高温下的金属行为到低温下拓扑非平庸绝缘态的交叉。现有的 TKI 描述基于 slave-boson 平均场理论，该理论忽略了动态涨落现象。在此，我们超越平均场理论，研究了 Kondo 涨落对拓扑表面态的作用。我们推导了 Dirac 表面态与涨落耦合的有效理论，并表明后者在表面激发之间介导强排斥相互作用。我们证明这些效应会重整化表面的等离激元谱。我们还论证了 Kondo 介导的相互作用可能驱动表面谱的磁不稳定性。
引用
@article{arxiv.1404.5640,
title = {A Strongly-Interacting Dirac Liquid on the Surface of a Topological Kondo Insulator},
author = {Dmitry K. Efimkin and Victor Galitski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.5640},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 1 figure; Minor changes. Published version