拓扑Kondo绝缘体的激光诱导相变
强关联电子
2016-12-07 v1
摘要
本文从理论上研究激光场如何改变拓扑Kondo绝缘体(TKIs)的性质。通过采用TKIs的原型模型，我们利用Floquet理论处理激光场的效应，该理论给出了高频激光场下的有效描述。我们推导了激光辐照下TKIs的有效模型，并讨论了其拓扑性质。我们证明了由不同Chern数值表征的Floquet Chern绝缘体的可能实现，并揭示了拓扑相如何随激光强度的增加而变化。此外，结果表明，在三维情形下可以出现具有若干对受拓扑保护的Weyl节点的Floquet Weyl半金属。我们解释了Weyl节点是如何随激光场强度的变化而产生的。
引用
@article{arxiv.1509.04840,
title = {Laser-induced phase transitions of topological Kondo insulators},
author = {Kazuaki Takasan and Masaya Nakagawa and Norio Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.04840},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 3 figures. This paper is accepted for publication in the proceedings of ICM 2015 (Physics Procedia)