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拓扑磁子绝缘体中的光致拓扑相变

强关联电子 2018-11-13 v3

摘要

拓扑磁子绝缘体是电子拓扑绝缘体的玻色子类比。它们体现于具有拓扑非平庸磁子能带的磁性材料中,正如在准二维(quasi-2D)kagome 铁磁体 Cu(1-3, bdc) 中实验实现的那样,并且它们还拥有受保护的磁子边缘模。这些拓扑磁性材料可传输热流与自旋流,因此可用于自旋电子学应用。此外,由于磁子是带磁偶极矩的电中性自旋-1{\bf 1} 玻色型准粒子,拓扑磁子材料也可通过 Aharonov-Casher 效应与电磁场相互作用。在本报告中,我们研究 kagome 铁磁体内禀拓扑磁子绝缘体中的光致拓扑相变。利用磁子 Floquet-Bloch 理论,我们表明通过调节光强,周期驱动的内禀拓扑磁性材料可被调控至具有不同贝里曲率符号与热霍尔电导符号的不同拓扑相。我们进一步表明,在特定条件下,周期驱动的有隙拓扑磁子绝缘体也可被调至具有 Dirac-Weyl 磁子锥的合成无隙拓扑磁子半金属。我们预期该工作将为拓扑磁性材料中令人关注的新潜在实际应用铺平道路。

关键词

引用

@article{arxiv.1801.04932,
  title  = {Photoinduced Topological Phase Transitions in Topological Magnon Insulators},
  author = {S. A. Owerre},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1801.04932},
  year   = {2018}
}

备注

10 pages, 4 figures. Revised version implementing corrections from Corrigendum