光照三维拓扑绝缘体中的 Floquet 界面态
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v2
摘要
近期实验表明，当用圆偏振激光照射时，三维拓扑绝缘体的表面会在 Floquet-Bloch 能带谱中产生能隙。这些 Floquet-Bloch 能带的特征是非平凡的 Chern 数，其仅取决于辐射场的偏振手性。本文提出了一种由一对反向旋转激光器组成的装置，并证明了在两个激光器之间的界面处会出现一维手性态。这些界面态被证明是自旋极化的，可能在光电子学和自旋电子学领域引发有趣的应用。
引用
@article{arxiv.1502.04098,
title = {Floquet interface states in illuminated three-dimensional topological insulators},
author = {H. L. Calvo and L. E. F. Foa Torres and P. M. Perez-Piskunow and C. A. Balseiro and Gonzalo Usaj},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.04098},
year = {2015}
}
备注
5 pages with 3 figures + supplemental material