通过双光子共振实现三维拓扑 Floquet 能谱
介观与纳米尺度物理
2013-06-26 v2 材料科学
摘要
近期的一项理论工作 [Nature Phys., 7, 490 (2011)] 表明，外部非平衡扰动可用于将最初处于拓扑平庸态的二维半导体转化为 Floquet 拓扑绝缘体。在此，我们将这些思想非平庸地推广至三维系统。在这种情况下，我们表明双光子共振可以提供必要的扭转，将最初平庸的能带结构转化为拓扑 Floquet 能谱。我们既给出了该现象直观的几何图像，又通过一个真实晶格模型的精确解对其进行了支持，该模型在辐照下于系统的二维边界呈现单一拓扑 Dirac 模式。研究表明，表面能谱可以通过选择驱动电磁场的极化和频率来控制。我们提出了三维 Floquet 拓扑绝缘体的具体实验实现方案。
引用
@article{arxiv.1111.4518,
title = {Topological Floquet Spectrum in Three Dimensions via a Two-Photon Resonance},
author = {Netanel H. Lindner and Doron L. Bergman and Gil Refael and Victor Galitski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.4518},
year = {2013}
}