利用三维拓扑绝缘体表面态边带调制输运的太赫兹光电探测器
介观与纳米尺度物理
2019-09-13 v1
摘要
在Floquet理论框架下，对三维拓扑绝缘体表面电荷载流子在太赫兹（THz）场与共振双势垒结构作用下的输运性质进行了理论分析，以探索将该器件用于光电探测的可能性。我们表明，由于弹性与非弹性散射过程的贡献，在所得到的电导谱中形成了类似于光学腔中方式的边带，该信息可用于探测未知THz辐射的频率。文中还讨论了电导对偏置电压的依赖关系、THz辐射对共振的影响以及零能点对透射谱的影响。
引用
@article{arxiv.1806.01491,
title = {THz Photodetector using sideband-modulated transport through surface states of a 3D Topological Insulator},
author = {Puja Mondal and Sankalpa Ghosh and Manish Sharma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01491},
year = {2019}
}
备注
Latex file and 12 figures