三维拓扑绝缘体的光电表征
介观与纳米尺度物理
2016-11-23 v1
摘要
我们证明，对表面对称性和散射细节敏感的太赫兹/红外辐射诱导光生电流效应，可用于研究基于 (Bi1-xSbx)2Te3 的三维拓扑绝缘体表面态的高频电导率。特别是，测量光生电流的偏振依赖性，并用微米级光束斑扫描样品，可以获取 (i) 表面态电子特性的形貌不均匀性以及 (ii) 局部畴取向。该方法的一个重要优势在于，它可在室温下甚至在高体载流子电子密度的材料中用于研究拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.1607.03259,
title = {Opto-Electronic Characterization of Three Dimensional Topological Insulators},
author = {Helene Plank and Sergey N. Danilov and Vasily V. Bel'kov and Vadim A. Shalygin and Jörn Kampmeier and Martin Lanius and Gregor Mussler and Detlev Grützmacher and Sergey D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.03259},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures