三维拓扑绝缘体表面的二维电子输运
介观与纳米尺度物理
2013-01-01 v2
摘要
我们提出了一种理论方法来描述三维拓扑绝缘体（3DTIs）表面的二维输运性质，其中包括无序和声子散射效应。我们提出的方法能够考虑强无序诱导的载流子密度不均匀性的影响，这种不均匀性是 3DTIs 表面基态的特征，特别是在低掺杂情况下，正如最近实验所示。由于载流子密度分布的不均匀性，基于对无序进行系综平均并假设空间均匀平均载流子密度的标准理论技术是不充分的。此外，强烈的空间势能和密度波动极大地增强了热激活过程对输运性质的影响。所提出的理论能够考虑所有由无序诱导的不均匀性、无序引起的动量散射以及电子 - 声子散射过程的影响。因此，开发的理论能够准确描述 3DTIs 表面在零温和有限温度下的输运性质。
引用
@article{arxiv.1211.1970,
title = {Two-dimensional electronic transport on the surface of 3D topological insulators},
author = {Qiuzi Li and E. Rossi and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.1970},
year = {2013}
}
备注
14 pages, 18 figures