拓扑绝缘体表面态中的二维输运与屏蔽
介观与纳米尺度物理
2012-06-08 v1 材料科学
摘要
我们研究了靠近拓扑保护交叉点时，无序效应对拓扑绝缘体 BiSe 表面态的影响。在电荷中性点附近，环境中随机带电无序引起的载流子密度局部涨落导致了电子和空穴液滴的形成，这些液滴主导了这些材料的电子性质。通过利用随机相位近似计算表面态的极化率，并利用自洽近似确定液滴的特征，我们发现能带不对称性在决定实验测量量（包括电导率和液滴自相关长度）方面起着至关重要的作用。
引用
@article{arxiv.1201.4433,
title = {2D transport and screening in topological insulator surface states},
author = {S. Adam and E. H. Hwang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.4433},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 Figures