拓扑绝缘体 Bi2Se3 在环境无序下的表面态与体态对比
材料科学
2011-08-03 v2
摘要
拓扑绝缘体（TIs）被预言由绝缘的体态与材料边界上的导电通道构成。然而在 Bi2Se3 中，由于硒空位引起的本征掺杂，费米能级天然位于导带内，导致金属性体态。在此类非理想拓扑绝缘体中，表面态与体态在环境无序下的行为尚未被充分理解。本文基于 Bi2Se3 薄膜的输运测量，表明体态对环境无序敏感，而表面态则保持鲁棒。
引用
@article{arxiv.1105.2889,
title = {Surface versus bulk state in topological insulator Bi2Se3 under environmental disorder},
author = {Matthew Brahlek and Yong Seung Kim and Namrata Bansal and Eliav Edrey and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2889},
year = {2011}
}
备注
13 pages, 3 figures, 1 table, Error in Figure 2(c) corrected and replaced