Bi2Se3 中拓扑表面态与体电子态的相互作用
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1
摘要
在这篇快报中，我们展示了拓扑绝缘体 Bi2Se3 的扫描隧道显微镜态密度测量和电子结构计算。测量结果显示，除了预期的狄拉克锥外，还存在显著的背景态。使用平板模型的密度泛函计算和部分态密度分析表明，该背景与在表面具有小幅度的类体态一致。拓扑表面态与价带中的类体态共存，在投影能带结构中表现为肩峰。这些结果有力地支持了近期散射实验所提出的关于拓扑表面态与类体表面态量子干涉的图像。
引用
@article{arxiv.1210.1874,
title = {The Interplay of Topological Surface and Bulk Electronic States in Bi2Se3},
author = {Megan Romanowich and Mal-Soon Lee and Duck-Young Chung and Jung-Hwan Song and S. D. Mahanti and Mercouri G. Kanatzidis and Stuart H. Tessmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.1874},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 3 figures