拓扑绝缘体表面的狄拉克锥 Floquet 工程
介观与纳米尺度物理
2019-08-14 v3
摘要
我们提出在三维拓扑绝缘体表面进行狄拉克锥的 Floquet 工程。我们表明，费米速度可作为驱动场的偏振、方向和振幅的函数实现大范围可调。利用此外部控制，准能谱中的狄拉克锥可变为椭圆或有质量，与实验证据一致。这些结果有助于我们理解拓扑绝缘体中表面态与外部交流驱动场的相互作用。在我们的工作中，我们使用三维系统的完整哈密顿量，而非文献中通常考虑的有效表面哈密顿量。我们的发现表明，即便存在体态，准能谱中的狄拉克锥仍保持鲁棒，从而验证了使用有效表面哈密顿量来探索 Floquet 驱动拓扑边界性质的合理性。此外，我们的模型允许引入新的面外场构型，这是有效表面哈密顿量无法描述的。
引用
@article{arxiv.1902.04266,
title = {Floquet engineering of Dirac cones on the surface of a topological insulator},
author = {A. Diaz-Fernandez and E. Diaz and Álvaro Gómez-León and Gloria Platero and F. Domínguez-Adame},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.04266},
year = {2019}
}