通过周期驱动在狄拉克费米子中诱导各向异性
介观与纳米尺度物理
2020-10-23 v1
摘要
我们考虑第二代拓扑绝缘体 BiSe 的三维哈密顿量在面内与面外场周期驱动下的效应。正如将通过 Floquet 哈密顿量中至二阶的高频展开所展示的，该驱动在狄拉克锥中诱导各向异性，并为面内椭圆偏振场打开准能隙。我们得到了重整化速度与准能隙的解析表达式。随后将这些表达式与通过在二维晶格上离散化哈密顿量并采用交错费米子方法进行的数值计算相比较，取得了显著一致。我们相信我们的工作可能对拓扑绝缘体的输运性质产生影响。
引用
@article{arxiv.2005.13351,
title = {Inducing anisotropies in Dirac fermions by periodic driving},
author = {A. Diaz-Fernandez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13351},
year = {2020}
}