光驱动半导体中Floquet拓扑量子态的行为
强关联电子
2020-08-04 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
量子物理
摘要
空间均匀的光激发可在绝缘体内诱导出Floquet拓扑能带结构，其可具有与三维拓扑绝缘体已知特征相似或相同的特性。本文从理论上推导了电磁驱动半导体块体物质中Floquet拓扑量子态的形成，并给出了这些态在非平衡态下的寿命及其占据数的结果。当我们用非平衡下的动力学平均场理论（DMFT）框架求解ZnO情形下广义Hubbard模型的驱动系统时，Floquet-Keldysh理论数学精度的直接物理影响显而易见。我们的结果中拓扑非平衡效应在关联体系中的物理后果通过其对于光电子应用的影响加以解释。
引用
@article{arxiv.1909.11634,
title = {Behavior of Floquet Topological Quantum States in Optically Driven Semiconductors},
author = {Andreas Lubatsch and Regine Frank},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.11634},
year = {2020}
}
备注
Symmetry (accepted September 18, 2019). arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1909.06922