碲化汞表面上的光诱导拓扑态
介观与纳米尺度物理
2019-03-13 v1
摘要
我们发展了描述体相碲化汞(HgTe)中表面电子模式在圆偏振电磁场下Floquet工程的理论。分析表明，该场导致HgTe的导带与价带混合而产生表面态。这些表面态的分支位于布里渊区中心附近，并具有拓扑态特有的狄拉克色散。除此之外，辐照还在HgTe的导带与价带之间诱导出能隙。因此，辐照可使碲化汞从无隙半导体转变为拓扑绝缘体。研究表明，光诱导态与无辐照时HgTe中存在的非拓扑表面态有本质区别。所发现态的结构在其参数的宽广范围内得到了分析与数值研究。
引用
@article{arxiv.1903.04572,
title = {Optically induced topological states on the surface of mercury telluride},
author = {O. Kyriienko and O. V. Kibis and I. A. Shelykh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.04572},
year = {2019}
}
备注
Published version