SnTe中光驱动能带反转诱导的弗洛凯拓扑态
强关联电子
2025-02-18 v1
摘要
高强度相干光可以修饰物质,实现平衡态下无法获得的新混合相。这一效应源于固体内部布洛赫态与入射光子周期场之间的相干相互作用,产生了称为弗洛凯-布洛赫态的混合光-物质态,可以改变固体的性质。利用所谓的弗洛凯工程在半导体中光学诱导拓扑态是一个令人兴奋的展望。然而,尽管十多年前就有理论预测,这一目标尚未实现。在这里,我们展示了可以通过飞秒光脉冲在SnTe的基态中创建一个在平衡态下不存在的短寿命拓扑态。当光激发能量与该极性半导体的带隙相当时,这一现象就会发生。我们观察到伴随的能带色散重整化,揭示了连接到拓扑态的弗洛凯态的生成。因此,我们首次直接实验观测到了弗洛凯拓扑态,并提出它是由SnTe中的光驱动能带反转驱动的。这一发现为按需光学控制半导体的拓扑性质开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2502.11967,
title = {Floquet topological state induced by light-driven band inversion in SnTe},
author = {F. Chassot and G. Kremer and A. Pulkkinen and C. Wang and J. Krempasky and J. Minar and G. Springholz and M. Puppin and J. H. Dil and C. Monney},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.11967},
year = {2025}
}
备注
18 pages, 12 figures