半导体中的 Floquet-Volkov 干涉
介观与纳米尺度物理
2025-02-12 v1 材料科学
光学
摘要
强光场可为晶体中浸入的布洛赫电子以及真空中射出的自由电子构成 Dress 化态，分别称为 Floquet 态和 Volkov 态。这些量子态可进一步协同干涉，从而调制光场 Dress 化态。在本文中，我们报告了在半导体黑磷中观察到的 Floquet-Volkov 干涉的实验证据。观察到 Floquet-Volkov 态光谱权重存在高度非对称调制，而该非对称性可通过旋转泵浦偏振来进一步控制。我们的工作揭示了不同光场 Dress 电子态之间的量子干涉，为在纳秒级时间尺度上的材料工程提供了洞见。
引用
@article{arxiv.2502.07357,
title = {Floquet-Volkov interference in a semiconductor},
author = {Changhua Bao and Haoyuan Zhong and Benshu Fan and Xuanxi Cai and Fei Wang and Shaohua Zhou and Tianyun Lin and Hongyun Zhang and Pu Yu and Peizhe Tang and Wenhui Duan and Shuyun Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.07357},
year = {2025}
}