dressed 半导体量子点的 Floquet 干涉

与时序激励相互作用的量子系统会形成包含系统与越来越多光子混合的本征态梯度。这种称为 dress ( dress化) 的机制已在原子、分子和固态量子比特等系统中的光-物质相互作用中被观察到。本文演示了在量子点隧道耦合至电荷储库时实现 dress 化态。我们观察到系统高频电气响应中出现 Floquet 梯度态，表现为在多光子共振位置出现干涉条纹，尽管该系统 lacks avoided crossing（未出现 avoided crossing）。我们在改变储库温度、电荷寿命和激发�幅的情况下研究 dress 化量子点，通过建立基于 Floquet 梯度量子动力学理论来揭示该机制的基本性质，理论结果与实验数据高度一致。此外，我们展示了该技术在准确表征半导体量子点电荷特性方面的应用。