半导体量子点高频下的非绝热量子导纳：将反射测量重新视为极化子动力学
介观与纳米尺度物理
2024-10-24 v5 量子物理
摘要
动态工作的半导体量子点是许多量子技术（如量子传感器与量子计算机）的基础。因此，建立其在微波频率下的电学性质模型，对于模拟其在更大型电子电路中的性能至关重要。本文发展了一种自洽的量子主方程形式体系，以获得在相干光子库作用下、与电荷库隧穿耦合的量子点的导纳。我们得到了导纳的通用表达式，该式不仅涵盖了众所周知的半经典（热）极限，还描述了分别由于与库耦合增强和光子驱动幅度增大所导致的寿命展宽与功率展宽 regime 的过渡。此外，我们描述了两种新的光子介导 regime：由量子点态的修饰所决定的 Floquet 展宽，以及由系统中光子损耗所决定的展宽。我们的结果提供了一种在广泛极限下模拟量子点高频行为的方法，可描述既往实验，并提出量子点–光子相互作用的新颖探索方向。
引用
@article{arxiv.2307.16725,
title = {Beyond-adiabatic Quantum Admittance of a Semiconductor Quantum Dot at High Frequencies: Rethinking Reflectometry as Polaron Dynamics},
author = {L. Peri and G. A. Oakes and L. Cochrane and C. J. B. Ford and M. F. Gonzalez-Zalba},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.16725},
year = {2024}
}