含单量子点的半导体波导-腔系统中的非线性光子输运：非谐腔量子电动力学区域
量子物理
2013-05-31 v2
摘要
我们提出了一种半导体主方程技术，用于研究包含单个量子点的半导体波导-腔系统中相干光子输运的输入/输出特性。我们利用该方法研究了不同量子点-腔耦合强度下光子传播与非谐腔量子电动力学的效应，包括弱耦合、中等耦合和强耦合区域。我们证明，当平均光子数远小于 0.1 时，即使处于弱耦合区域，通常采用的弱激发（单量子）近似也会失效。作为非谐多光子相关性的度量，我们计算了 Fano 因子以及与进行半经典近似相关的相关误差。我们还探讨了电子-声学声子散射的作用，发现声子介导的散射对光传播特性具有定性上的重要作用。作为该理论的应用，我们在强耦合区域及 K 的声子浴温度下模拟了一个条件相位门。
引用
@article{arxiv.1111.3995,
title = {Nonlinear photon transport in a semiconductor waveguide-cavity system containing a single quantum dot: Anharmonic cavity-QED regime},
author = {S. Hughes and C. Roy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.3995},
year = {2013}
}
备注
To appear in PRB