有限偏压下的腔耦合双量子点：与激光的类比及超越

我们对电压偏置的 InAs 半导体双量子点（DQD）的光子和电子输运性质进行了理论和实验研究，该双量子点与超导传输线谐振器偶极耦合。我们推导了腔光子和 DQD 电子耦合系统的约化密度矩阵的主方程，系统地考虑了声子的存在以及有限电压偏压下引线的影响。随后，我们推导了透射、相位响应、光子数和非平衡稳态电子电流的解析表达式。我们表明，有限偏压下的耦合系统实现了一种非常规的单原子激光版本，并分析了离开腔的光子通量的谱和统计特性。在透射模式下，该系统表现为入射光子通量的可饱和单原子放大器。最后，我们表明光子发射对稳态电流的反作用可能是显著的。我们将解析结果与精确的主方程结果进行了比较，确立了各种解析模型的有效范围，并将我们的发现与可用的实验测量结果进行了对比。