拓扑绝缘体中 Floquet-Bloch 态与 Volkov 态之间的选择性散射
介观与纳米尺度物理
2016-01-06 v1
摘要
固体的相干光学操控正成为一种构筑新颖物质量子态的有前途的方法。强激光的时间周期势可用于产生杂化光子-电子态。光与 Bloch 态的相互作用导致 Floquet-Bloch 态，其对于实现新的光致量子相至关重要。类似地，固体表面附近自由电子态的修饰产生 Volkov 态，后者被用于研究原子和半导体中的非线性光学。这两种动态态彼此之间的相互作用仍是一个未解决实验问题。在此，我们利用时间和角分辨光电子能谱（Tr-ARPES）在拓扑绝缘体 Bi2Se3 表面选择性地研究这两种态之间的跃迁。我们发现两者之间的耦合强烈依赖于电子动量，从而提供了增强或抑制该耦合的途径。此外，通过控制光偏振，我们可以消除 Volkov 态以产生纯粹的 Floquet-Bloch 态。本工作为通过光-物质相互作用相干操控固体建立了一条系统性路径。
引用
@article{arxiv.1512.05714,
title = {Selective scattering between Floquet-Bloch and Volkov states in a topological insulator},
author = {Fahad Mahmood and Ching-Kit Chan and Zhanybek Alpichshev and Dillon Gardner and Young Lee and Patrick A. Lee and Nuh Gedik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.05714},
year = {2016}
}
备注
21 pages, 6 figures, final version to appear in Nature Physics