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AB 堆叠石墨中的 Floquet 边界态

介观与纳米尺度物理 2020-02-20 v2

摘要

我们报道了圆偏振光激光照射对 AB 堆叠石墨样品电子结构的影响。通过结合 Floquet 理论与格林函数技术,我们发现偏振光在 Floquet 区边 Ω/2\hbar\Omega/2 处诱导带隙开启,并由手性边界态所桥接。如若干几何构型中的时间平均局域态密度与概率流密度所证,这些态主要沿组成层的边界传播。陈数的半解析计算表明这些态具有拓扑性质,类似于在单层与双层石墨烯等受照射二维样品中所发现的态。这些态有望作为 Floquet 系统三维版量子霍尔效应的实现候选。

关键词

引用

@article{arxiv.1911.02144,
  title  = {Floquet boundary states in AB-stacked graphite},
  author = {Hernan L. Calvo and Jose E. Barrios Vargas and Luis E. F. Foa Torres},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1911.02144},
  year   = {2020}
}

备注

16 pages, 8 figures