AB 堆叠石墨中的 Floquet 边界态
介观与纳米尺度物理
2020-02-20 v2
摘要
我们报道了圆偏振光激光照射对 AB 堆叠石墨样品电子结构的影响。通过结合 Floquet 理论与格林函数技术,我们发现偏振光在 Floquet 区边 处诱导带隙开启,并由手性边界态所桥接。如若干几何构型中的时间平均局域态密度与概率流密度所证,这些态主要沿组成层的边界传播。陈数的半解析计算表明这些态具有拓扑性质,类似于在单层与双层石墨烯等受照射二维样品中所发现的态。这些态有望作为 Floquet 系统三维版量子霍尔效应的实现候选。
引用
@article{arxiv.1911.02144,
title = {Floquet boundary states in AB-stacked graphite},
author = {Hernan L. Calvo and Jose E. Barrios Vargas and Luis E. F. Foa Torres},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.02144},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 8 figures