二维拓扑Floquet系统中的二次能带接触点与平带

本工作中，我们基于 Floquet-Bloch 理论，以 kagome 晶格上的最近邻跳跃模型为例，从理论上研究圆偏振和线偏振光对具有 Dirac 和二次能带接触点及平带的二维能带结构的影响。我们发现圆偏振光可反转此三能带模型的顺序，同时使平带保持无色散。我们发现二次能带接触点处亦被双光子及高阶过程打开一个小能隙。相比之下，线偏振光将二次能带接触点分裂（为两个 Dirac 点），分裂量仅取决于光的振幅和偏振方向，与频率无关，且通常赋予平带色散。分裂方向垂直于光的偏振方向。我们推导了捕捉这些关键结果的有效低能理论。最后，我们计算了该三能带模型的光电导率的频率依赖性，并分析了 Floquet 模式的各种带间贡献。我们的结果提出了在真实系统中光学调控能带结构和相互作用强度的策略。