辐照双层石墨烯

我们描述了门控双层石墨烯系统在受到强太赫兹频率电磁辐射时的行为。我们通过Floquet理论中的精确对角化方法研究了电子能带结构和态密度。我们发现会诱导出动力学态，从而导致能带结构的改变。我们首先考察了无外磁场的情况。在无偏置情况下，光谱中出现动力学能隙，表现为态密度中的凹陷。对于有限层间偏置（未辐照的双层石墨烯能带结构中存在静态能隙），静态能隙中可能诱导出动力学态。这些态可以表现出高度的谷极化。当系统置于强磁场中时，辐射会诱导朗道能级之间的耦合，从而允许动力学能级存在。对于强场，这意味着朗道能级被展宽，形成近乎连续的态谱。