掺杂石墨烯中的Floquet分数量子陈绝缘体
强关联电子
2014-05-08 v2
摘要
分数量子陈绝缘体是理论上预测的具有涌现拓扑序的电子物质态。它们表现出与分数量子霍尔效应相同的普适性质，但无需施加强磁场。然而，尽管进行了大量的理论工作，这些奇异物质态的实验实现仍然缺乏。在这里，我们展示了当掺杂石墨烯受到高强度圆偏振光照射时，它会转变为分数量子陈绝缘体。我们使用Floquet理论推导了光驱动石墨烯的有效稳态能带结构，随后用精确数值对角化研究了相互作用系统。相当于1/3 Laughlin态的分数量子陈绝缘体态出现在蜂窝晶格总填充为7/12（上带填充1/6）时。该态还表现出自发铁磁性，因此是连续对称性自发破缺以及拓扑相变的一个例子。
引用
@article{arxiv.1309.3571,
title = {Floquet Fractional Chern Insulator in Doped Graphene},
author = {Adolfo G. Grushin and Álvaro Gómez-León and Titus Neupert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.3571},
year = {2014}
}
备注
10 pages