弗洛凯陈绝缘体与辐照石墨烯中的辐射诱导零电阻
介观与纳米尺度物理
2025-12-02 v1 强关联电子
摘要
近期光学和时间分辨技术的进步促进了在非平衡条件下探索新的物质状态。在这里,我们预测辐照石墨烯在暴露于圆偏振光时可以容纳两种新颖的非平衡稳态物质,具有零电阻:(i) 弗洛凯陈绝缘体和(ii) 一种辐射诱导的零电阻态,具有非均匀电流分布的自发形成。具体而言,我们计算了非平衡反常霍尔电导率和纵向电导率,以映射辐照石墨烯的非平衡相图,作为驱动频率和圆偏振光电场强度的函数。因此,弗洛凯陈绝缘体在高于石墨烯带宽的高驱动频率下出现。相比之下,在低于石墨烯带宽的低驱动频率下,非平衡反常霍尔电导率偏离预期的量子化值,非平衡纵向电导率表现出高度不规则的行为,包括负电阻。预测这种热力学不稳定的负电阻将触发灾难性崩溃,诱导一种具有非均匀电流分布自发形成的零电阻态,类似于在量子霍尔系统中观察到的辐射诱导零电阻态。
引用
@article{arxiv.2512.01346,
title = {Floquet Chern Insulators and Radiation-Induced Zero Resistance in Irradiated Graphene},
author = {Youngjae Kim and Kwon Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.01346},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 6 figures