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周期驱动手性堆叠多层石墨烯中的 Floquet 高陈绝缘体

介观与纳米尺度物理 2018-04-02 v2 材料科学

摘要

手性堆叠 NN 层石墨烯是一种半金属,其布里渊区两个不等价角点处具有 ±pN\pm p^N 能带接触。我们预测,非共振圆偏振光 (CPL) 可将手性堆叠 NN 层石墨烯驱动为 Floquet 陈绝缘体 (FCIs),即量子反常霍尔绝缘体,具有可调的高陈数 CF=±NC_F=\pm N 和大能隙。通过 CPL 和电压栅极的参数,可以调控由电压栅极诱导的这种 FCI 与具有高谷陈数 Cv=±NC_v=\pm N 的谷霍尔 (VH) 绝缘体之间的拓扑相变。我们提出在 FCI 和 VH 相之间存在拓扑畴壁,沿该畴壁完美谷极化的 NN 通道边缘态单向传播且无背散射。

关键词

引用

@article{arxiv.1608.07851,
  title  = {Floquet High Chern Insulators in Periodically Driven Chirally Stacked Multilayer Graphene},
  author = {Si Li and Cheng-Cheng Liu and Yugui Yao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1608.07851},
  year   = {2018}
}