扭曲多层石墨烯中的谷选择性 Floquet 陈平带
介观与纳米尺度物理
2021-05-26 v2
摘要
我们表明，利用圆偏振光（CPL）的 Floquet 工程可有选择地劈裂扭曲多层石墨烯（TMG）的谷简并度，从而生成受控的、具有可调大陈数的谷极化 Floquet 陈平带。这为操控莫尔平带中的谷自由度提供了可行的光学途径，并为研究莫尔平带体系的谷电子学开辟了新机遇。因此我们预期，TMG 的许多谷相关性质（例如轨道铁磁性）可通过适当掺杂的 CPL 进行切换。我们揭示了一般 (M+N) 层 TMG 中 Floquet 平带的陈数层级规则。我们还阐明，CPL 对 TMG 的影响强烈依赖于堆叠手性，这是 TMG 的独特特征。所有这些现象均可在扭曲双 bilayer 石墨烯体系中进行验证，其为 TMG 的最简实例且已在实验中实现。
引用
@article{arxiv.2007.15489,
title = {Valley-selective Floquet Chern Flat Bands in Twisted Multilayer Graphene},
author = {Ming Lu and Jiang Zeng and Haiwen Liu and Jin-Hua Gao and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.15489},
year = {2021}
}