扭转双层双层石墨烯中的相图与轨道陈绝缘体
介观与纳米尺度物理
2021-03-03 v1 强关联电子
摘要
与扭转双层石墨烯相比,扭转双层双层石墨烯(TDBG)提供了实现莫尔平带的另一个重要平台。本文中,我们首先在由扭转角和层间电势张成的参数空间中计算 TDBG 的谷陈数相图。为包含相互作用效应,我们进而唯象地引入自旋分裂与谷分裂。我们发现,当谷分裂大于第一导带带宽从而打开能隙且自旋分裂相对较弱时,在半填充处出现轨道陈绝缘体,并伴随大的轨道磁化强度(OM)。进一步计算表明,当费米能量从半填充能隙底走到顶时,OM 无符号反转,因为在 AB-AB 堆垛与 AB-BA 堆垛中 OM 均保持为负。我们还讨论了我们的结果对正在进行中的实验的启示。
引用
@article{arxiv.2103.01429,
title = {Phase diagram and orbital Chern insulator in twisted double bilayer graphene},
author = {Yi-Xiang Wang and Fuxiang Li and Zi-Yue Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.01429},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 9 figures