过渡金属硫族化物上魔角石墨烯的平带拓扑
强关联电子
2020-12-24 v1
摘要
我们考虑置于过渡金属硫族化物衬底上的扭转双层石墨烯，其中邻近诱导的自旋轨道耦合显著改变了魔角附近出现的八条平带。所得的能带结构在大部分小布里渊区内具有一对极平带。进一步的细节敏感依赖于异质结构的对称性；我们发现当绕面内轴的所有二重旋转均被破坏时呈现半导体性能带结构，否则为半金属性能带结构。我们计算了不同孤立能带的陈数，并确定了实现谷陈绝缘体与拓扑绝缘体的参数区间和填充因子。有趣的是，我们发现对于现实的邻近诱导项数值，通过向体系中每个超晶格原胞掺杂两个空穴或两个电子，有可能实现受时间反演对称性保护的拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.2008.06528,
title = {Flat band topology of magic angle graphene on a transition metal dichalcogenide},
author = {Tianle Wang and Nick Bultinck and Michael P. Zaletel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.06528},
year = {2020}
}