扭曲双层 dice 晶格上的莫尔半导体
介观与纳米尺度物理
2024-04-25 v2
摘要
我们为扭曲双层 dice 晶格的莫尔结构提出了一个有效晶格模型。在手性极限下，我们发现除魔角外，任意扭转角下零能级处均存在平带，且这些平带在手性极限的微小扰动下发生展宽。这些平带既包含起源于 dice 晶格上态相消干涉的零陈数带，也包含魔角处的拓扑非平庸带。平带的存在可通过所有角度下光学电导的峰分裂结构探测，而扭转双层石墨烯中的跃迁峰不发生分裂且仅在魔角出现。
引用
@article{arxiv.2310.05403,
title = {Moir\'e semiconductors on twisted bilayer dice lattice},
author = {Di Ma and Yu-Ge Chen and Yue Yu and Xi Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.05403},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 6 figures; published version