莫尔电路：工程化魔角行为
介观与纳米尺度物理
2021-12-01 v1 强关联电子
摘要
扭曲双层石墨烯中的莫尔超晶格为研究广泛的新奇量子现象提供了前所未有的平台。最近，扭转自由度被引入各种经典波系统中，为波控制带来了新思路。问题是，扭角电子学与莫尔物理能否扩展到电子学中，并在扭转使能的信号处理方面具有潜在应用。在此，我们在理论和实验上证明，利用具有极高自由度的电路可以工程化许多迷人的莫尔物理。通过适当设计扭曲双层电路的一个子晶格的层间耦合和偏置，可以在各种扭转角下实现远离其他状态的低能平坦带。基于固定扭转角的莫尔电路，我们在实验上证明了当施加层间耦合的魔角值时，能带变窄效应以及电能局域化效应。此外，首次观察到了源于莫尔势诱导的赝磁场的拓扑边缘态。我们的研究结果提供了一个超越自然材料和其他经典波系统的灵活平台来研究扭角电子学，并可能在集成电路设计领域具有潜在应用。
引用
@article{arxiv.2111.10486,
title = {Moir\'e circuits: engineering magic-angle behaviors},
author = {Weixuan Zhang and Deyuan Zou and Qingsong Pei and Wenjing He and Houjun Sun and Xiangdong Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.10486},
year = {2021}
}
备注
16 pages, 5 figures