魔角扭曲双层石墨烯中的陈绝缘体与拓扑平带
介观与纳米尺度物理
2021-04-14 v3
摘要
魔角扭曲双层石墨烯（MA-TBG）在其平带部分填充时，因电子-电子相互作用增强而表现出引人入胜的量子相变。然而，这些相本身及其与平带所谓非平凡拓扑的关联在很大程度上尚未被探索。在此，我们报道输运测量揭示了连续的掺杂诱导 Lifshitz 转变，伴随范霍夫奇点（VHS），促进了关联诱导能隙和拓扑非平凡子带的出现。在磁场存在下，每个摩尔胞填充 1、2、3 个载流子时良好的量子化霍尔平台揭示了子带拓扑，并标志着陈数分别为 !、!、! 的陈绝缘体的出现。令人惊讶的是，对于超过 5T 的磁场，我们在填充数为 3.5 处观察到 VHS，暗示了分数量子陈绝缘体的可能性。该 VHS 伴随从低温金属性到高温绝缘行为的跨接，这是熵驱动的 Pomeranchuk 类转变的特征。
引用
@article{arxiv.2007.03735,
title = {Chern Insulators and Topological Flat-bands in Magic-angle Twisted Bilayer Graphene},
author = {Shuang Wu and Zhenyuan Zhang and K. Watanabe and T. Taniguchi and Eva Y. Andrei},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.03735},
year = {2021}
}
备注
29 pages, 15 figures