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魔角扭曲双层石墨烯中级联转变与相关陈绝缘体之间的联系

介观与纳米尺度物理 2024-06-14 v1 强关联电子

摘要

陈绝缘体是一种拓扑非平庸的物质态,其特征是不可压缩的体态和手性边缘态。将拓扑陈能带与强电子关联相结合,为研究涌现量子现象提供了一个多功能平台。在本研究中,我们通过里德伯激子传感光谱解析了魔角扭曲双层石墨烯(MATBG)中的关联陈绝缘体(CCIs),并揭示了它们与电子压缩率中零场级联特征之间的直接联系。我们发现级联中的压缩率最小值与附近的整数填充有显著偏离(偏差为Δν\Delta\nu),并且与CCIs在掺杂密度中的起始点重合,从而得出一个准普适关系BcB_c=Φ0Δν/C\Phi_0\Delta\nu/C(起始磁场BcB_c,磁通量子Φ0\Phi_0,陈数CC)。我们提出这些起始点位于局域“f轨道”和Chern能带同时达到整数填充的交点处。我们的发现更新了MATBG的场相关相图,并直接支持了拓扑重费米子模型。

关键词

引用

@article{arxiv.2406.08734,
  title  = {Link between cascade transitions and correlated Chern insulators in magic-angle twisted bilayer graphene},
  author = {Qianying Hu and Shu Liang and Xinheng Li and Hao Shi and Xi Dai and Yang Xu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2406.08734},
  year   = {2024}
}

备注

24 pages, 4 figures, supplementary material