扭曲双层石墨烯 IV. 精确绝缘体基态与相图
强关联电子
2022-04-29 v4 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
我们推导了魔角扭曲双层石墨烯(TBG)平带在库仑相互作用下投影哈密顿量在各极限中的精确绝缘体基态,并研究了偏离这些极限的扰动。我们定义(第一)手性极限,其中 AA 堆叠跳迁为零,以及具有精确平带的平带极限。在手性-平带极限下,TBG 哈密顿量具有 U(4)U(4) 对称性,我们发现相对电荷中性的整数填充 处的精确基态为陈数 的陈绝缘体,且全部简并。这证实了近期实验中陈绝缘体被发现为 TBG 具竞争力的低能态。当手性-平带极限退化为具有 U(4) 对称性的非手性-平带极限时,我们发现 具有陈数为 的精确基态,而 具有陈数 的微扰基态,其为 U(4) 铁磁的。在具有不同 U(4) 对称性的手性-非平带极限中,不同陈数态直至二阶微扰均简并。在现实的非手性-非平带情形中,我们发现整数填充 处陈数 ()的微扰绝缘体态为完全(部分)谷相干的,而陈数 的绝缘体态为谷极化的。然而,对 ,完全谷相干态极具竞争力(高 0.005meV/电子)。在非零磁场 下, 从陈数 到 的一级相变可期,这与近期实验观测一致。最后,TBG 哈密顿量在稳定子码极限下退化为扩展 Hubbard 模型。
引用
@article{arxiv.2009.13530,
title = {Twisted Bilayer Graphene IV. Exact Insulator Ground States and Phase Diagram},
author = {Biao Lian and Zhi-Da Song and Nicolas Regnault and Dmitri K. Efetov and Ali Yazdani and B. Andrei Bernevig},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.13530},
year = {2022}
}
备注
17+35 pages, 3+2 figures. Published version