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扭曲双层石墨烯 IV. 精确绝缘体基态与相图

强关联电子 2022-04-29 v4 介观与纳米尺度物理 材料科学

摘要

我们推导了魔角扭曲双层石墨烯(TBG)平带在库仑相互作用下投影哈密顿量在各极限中的精确绝缘体基态,并研究了偏离这些极限的扰动。我们定义(第一)手性极限,其中 AA 堆叠跳迁为零,以及具有精确平带的平带极限。在手性-平带极限下,TBG 哈密顿量具有 U(4)×\timesU(4) 对称性,我们发现相对电荷中性的整数填充 4ν4-4\le \nu\le 4 处的精确基态为陈数 νC=4ν,2ν,,ν4\nu_C=4-|\nu|,2-|\nu|,\cdots,|\nu|-4 的陈绝缘体,且全部简并。这证实了近期实验中陈绝缘体被发现为 TBG 具竞争力的低能态。当手性-平带极限退化为具有 U(4) 对称性的非手性-平带极限时,我们发现 ν=0,±2\nu=0,\pm2 具有陈数为 00 的精确基态,而 ν=±1,±3\nu=\pm1,\pm3 具有陈数 νC=±1\nu_C=\pm1 的微扰基态,其为 U(4) 铁磁的。在具有不同 U(4) 对称性的手性-非平带极限中,不同陈数态直至二阶微扰均简并。在现实的非手性-非平带情形中,我们发现整数填充 ν\nu 处陈数 νC=0\nu_C=00<νC<4ν0<|\nu_C|<4-|\nu|)的微扰绝缘体态为完全(部分)谷相干的,而陈数 νC=4ν|\nu_C|=4-|\nu| 的绝缘体态为谷极化的。然而,对 0<νC4ν0<|\nu_C|\le4-|\nu|,完全谷相干态极具竞争力(高 0.005meV/电子)。在非零磁场 B>0|B|>0 下,ν=±1,±2\nu=\pm1,\pm2 从陈数 νC=sgn(νB)(2ν)\nu_C=\text{sgn}(\nu B)(2-|\nu|)νC=sgn(νB)(4ν)\nu_C=\text{sgn}(\nu B)(4-|\nu|) 的一级相变可期,这与近期实验观测一致。最后,TBG 哈密顿量在稳定子码极限下退化为扩展 Hubbard 模型。

关键词

引用

@article{arxiv.2009.13530,
  title  = {Twisted Bilayer Graphene IV. Exact Insulator Ground States and Phase Diagram},
  author = {Biao Lian and Zhi-Da Song and Nicolas Regnault and Dmitri K. Efetov and Ali Yazdani and B. Andrei Bernevig},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2009.13530},
  year   = {2022}
}

备注

17+35 pages, 3+2 figures. Published version