魔角扭转双层石墨烯关联绝缘体的谱学表征

我们解析地计算了魔角扭转双层石墨烯（TBG）窄带的整填充关联基态的扫描隧道显微镜（STM）特征。在实验上验证了强耦合方法在 $\pm 4$ 个电子/摩尔超晶胞处的适用性后，我们考虑了 14 种不同多体关联态的 STM 信号的空间特征，并评估了在石墨烯晶格尺度上出现 Kekulé 畸变（KD）的可能性。值得注意的是，我们发现将谷间相干（IVC）TBG 绝缘体中的两个相反石墨烯谷耦合并不总是导致 KD。作为一个例子，我们展示了 Kramers IVC 态及其非手性 $\mathrm{U} \left( 4 \right)$ 转动不表现出任何 KD，而时间反演对称 IVC 态则表现出 KD。我们在大范围能量和模型参数下获得的结果表明，STM 信号和态的陈数可用于唯一确定 TBG 基态的性质。