扭转双层石墨烯中的应变无序与无隙谷间相干相
介观与纳米尺度物理
2023-02-15 v2 无序系统与神经网络
强关联电子
摘要
在魔角扭转双层石墨烯中,每个moiré原胞具有偶数个电子或空穴填充时,常观察到关联绝缘体。尽管理论预测这些绝缘体为谷间相干激子相,但实测能隙通常远小于理论估计。我们探究了随机应变涨落对谷间相干相的影响,其具有类似于超导体中磁无序的配对破缺效应。我们发现,即便谷间相干得以维持,谱能隙也可能被应变无序强烈抑制甚至完全消失。我们讨论了隧穿态密度的预测特征,表明输运实验中测得的激活能隙对应于被压低的能隙,从而为解决理论与实验能隙之间的明显分歧提供了方案。
引用
@article{arxiv.2208.03655,
title = {Strain Disorder and Gapless Intervalley Coherent Phase in Twisted Bilayer Graphene},
author = {Gal Shavit and Kryštof Kolář and Christophe Mora and Felix von Oppen and Yuval Oreg},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.03655},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 4 figures + Supplementary. Published version