无序双层石墨烯中的非均匀电子结构、输运带隙与逾渗阈值

在存在淬火电荷杂质的情况下，计算了无带隙和有带隙的无序双层石墨烯的非均匀实空间电子结构。对于有带隙的双层石墨烯，我们发现，在当前实验条件下，屏蔽无序势的涨落幅度与由垂直电场诱导的本征带隙 $\Delta$ 相当（或通常更大）。我们计算了交叉化学势 $\Delta_{\rm cr}$，它将绝缘态与逾渗态区分开来，在逾渗态中，双层石墨烯样品中少于一半的区域是绝缘的。我们发现，当前大多数实验都处于 $\Delta_{\rm cr}<<\Delta$ 的逾渗态。与 $\Delta$ 相比，$\Delta_{\rm cr}$ 的巨大抑制为理论带隙 $\Delta$ 与实验提取的输运带隙之间的巨大差异提供了一种可能的解释。