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扭曲双层石墨烯。VI. 非零整数填充下扭曲双层石墨烯的精确对角化研究

强关联电子 2022-04-26 v3

摘要

利用精确对角化,我们研究了第一魔角扭曲双层石墨烯的 8 条平带中带库仑相互作用的投影哈密顿量。借助非手征(手征)平带极限下的 U(4)(U(4)×\timesU(4))对称性,我们将希尔伯特空间约化到足以研究 ν=±3,±2,±1\nu=\pm 3,\pm2,\pm1 填充附近的程度。在首个手征极限 w0/w1=0w_0/w_1=0(其中 w0w_0w1w_1)为 AAAAABAB)堆叠跳跃)下,我们发现这些填充处的基态在所谓的陈数基(Chern basis)中由斯莱特行列式极好地描述,且 [arXiv:2009.14200] 中发现的精确可解电荷 ±1\pm1 激发在手征平带极限下直至系统尺寸 8×88\times8(受限希尔伯特空间)均为最低电荷激发。我们还发现,[arXiv:2009.11301,2009.11872,2009.12376,2009.13530,2009.14200] 中用于获得一系列精确基态与激发的平度量条件(FMC)在较大参数空间内成立。在 ν=3\nu=-3 时,基态为自旋与谷极化的陈绝缘体,在 w0/w10.9w_0/w_1\lesssim0.9(0.3)且带(不带)FMC 时具有 νC=±1\nu_C=\pm1。在 ν=2\nu=-2 时,我们仅能在数值上访问谷极化扇区,并发现当 w0/w10.5tw_0/w_1\gtrsim0.5t(其中 t[0,1]t\in[0,1] 为实际 TBG 带宽的重标度因子)时为自旋铁磁相,否则为自旋单态相,证实了微扰计算 [arXiv:2009.13530]。然而,解析 FMC 基态预言于我们无法访问的谷间相干扇区 [arXiv:2009.13530]。对于带/不带 FMC 的 ν=3\nu=-3,当 w0/w1w_0/w_1 较大时,至中性激发的有限尺寸能隙 Δ\Delta 消失,导致相变。对 ν=3\nu=-3 基态动量扇区的进一步分析表明,在较大 w0/w1w_0/w_1 下(向列)金属、动量 MMM_Mπ\pi)条纹与 KMK_M-CDW 序之间存在竞争。

关键词

引用

@article{arxiv.2010.00588,
  title  = {Twisted bilayer graphene.VI. An Exact Diagonalization Study of Twisted Bilayer Graphene at Non-Zero Integer Fillings},
  author = {Fang Xie and Aditya Cowsik and Zhi-Da Song and Biao Lian and B. Andrei Bernevig and Nicolas Regnault},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2010.00588},
  year   = {2022}
}

备注

22+26 pages, 15+20 figures. Added discussion about spin polarized simulation and intervalley coherent states at $\nu=-2$ filling factor. Updated references