扭曲双层石墨烯。VI. 非零整数填充下扭曲双层石墨烯的精确对角化研究
摘要
利用精确对角化,我们研究了第一魔角扭曲双层石墨烯的 8 条平带中带库仑相互作用的投影哈密顿量。借助非手征(手征)平带极限下的 U(4)(U(4)U(4))对称性,我们将希尔伯特空间约化到足以研究 填充附近的程度。在首个手征极限 (其中 ()为 ()堆叠跳跃)下,我们发现这些填充处的基态在所谓的陈数基(Chern basis)中由斯莱特行列式极好地描述,且 [arXiv:2009.14200] 中发现的精确可解电荷 激发在手征平带极限下直至系统尺寸 (受限希尔伯特空间)均为最低电荷激发。我们还发现,[arXiv:2009.11301,2009.11872,2009.12376,2009.13530,2009.14200] 中用于获得一系列精确基态与激发的平度量条件(FMC)在较大参数空间内成立。在 时,基态为自旋与谷极化的陈绝缘体,在 (0.3)且带(不带)FMC 时具有 。在 时,我们仅能在数值上访问谷极化扇区,并发现当 (其中 为实际 TBG 带宽的重标度因子)时为自旋铁磁相,否则为自旋单态相,证实了微扰计算 [arXiv:2009.13530]。然而,解析 FMC 基态预言于我们无法访问的谷间相干扇区 [arXiv:2009.13530]。对于带/不带 FMC 的 ,当 较大时,至中性激发的有限尺寸能隙 消失,导致相变。对 基态动量扇区的进一步分析表明,在较大 下(向列)金属、动量 ()条纹与 -CDW 序之间存在竞争。
引用
@article{arxiv.2010.00588,
title = {Twisted bilayer graphene.VI. An Exact Diagonalization Study of Twisted Bilayer Graphene at Non-Zero Integer Fillings},
author = {Fang Xie and Aditya Cowsik and Zhi-Da Song and Biao Lian and B. Andrei Bernevig and Nicolas Regnault},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.00588},
year = {2022}
}
备注
22+26 pages, 15+20 figures. Added discussion about spin polarized simulation and intervalley coherent states at $\nu=-2$ filling factor. Updated references