在扭曲双层石墨烯晶格模型中实现拓扑 Mott 绝缘体
强关联电子
2021-09-17 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
超导电性
摘要
魔角扭曲双层石墨烯近来已成为一个蓬勃发展的材料平台,实现了在其拓扑平带内发生的关联电子现象。多种数值与解析方法已被用于理解其中的关联相,揭示了其与量子霍尔物理的某些相似性。本工作中,我们为 TBG 系统提供 Mott-Hubbard 视角。采用仅含投影库仑相互作用的晶格模型上的大规模密度矩阵重整化群,我们确定了绝缘条纹相与陈数为 的量子反常霍尔态之间的一阶量子相变。我们的结果不仅阐明了在四分之三填充处发现的量子反常霍尔态的机制,也提供了拓扑 Mott 绝缘体(即强耦合极限下的量子反常霍尔态)的一个实例。
引用
@article{arxiv.2011.07602,
title = {Realization of Topological Mott Insulator in a Twisted Bilayer Graphene Lattice Model},
author = {Bin-Bin Chen and Yuan Da Liao and Ziyu Chen and Oskar Vafek and Jian Kang and Wei Li and Zi Yang Meng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.07602},
year = {2021}
}
备注
6+7 pages, 3+7 figures