含初贝-高本交互作用的奇整数填充安德森晶格模型中的拓扑莫特绝缘体
强关联电子
2023-12-14 v2
摘要
最近，moiré 堆叠 MoTe/WSe 中奇整数填充处的量子反常霍尔态被令人信服地解释为由于{\it 能带}基底下的强相互作用而出现的拓扑莫特绝缘体态[P. Mai, J. Zhao, B. E. Feldman, and P. W. Phillips, Nat. Commun. {\bf 14}, 5999 (2023)]。在本工作中，我们旨在分析由{\it 轨道}基底下的相互作用所形成的拓扑莫特绝缘体，这对于相互作用源于 或 轨道特性而非能带平坦性的体系更为自然。为此，我们研究了一个奇整数填充的安德森晶格模型，该模型以初贝-高本(Hatsugai-Kohmoto)精神引入了轨道间奇宇称杂化以及不同程度的相关性。我们证明，在所考虑的模型中，只有当涉及色散态的弱轨道内与轨道间关联被纳入考虑时，拓扑莫特绝缘体态才能实现。有趣的是，我们发现平凡与拓扑莫特绝缘相之间的所有拓扑转变均不伴随谱隙闭合，这与称为{\it 一阶拓扑转变}的现象一致。相反，它们由在某一时间反演不变动量处谱函数中出现的扭折所标志。我们相信，我们的方法能为自旋轨道耦合的 或 电子体系中的拓扑莫特绝缘体提供有见地的现象学描述。
引用
@article{arxiv.2308.02292,
title = {Topological Mott insulator in the odd-integer filled Anderson lattice model with Hatsugai-Kohmoto interactions},
author = {Krystian Jabłonowski and Jan Skolimowski and Wojciech Brzezicki and Krzysztof Byczuk and Marcin M. Wysokiński},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.02292},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 4 figs