相互作用Haldane模型四分之一填充处的拓扑Mott绝缘体
强关联电子
2023-04-18 v4
摘要
尽管近期拓扑学的进展为标准金属理论所描述的电子能带提供了分类方案,但对于强关联系统(如部分填充能带不载流的 Mott 绝缘体)尚未出现类似方案。通过在拓扑非平凡的 Haldane 模型中引入相互作用,我们表明只要相互作用足够强,就会出现陈数为非零的四分之一填充态。我们首先从物理上说明该结果,然后通过两种方法:在动量空间局域相互作用的模型精确求解的解析方法,以及相应 Hubbard 模型的数值方法。所有方法给出同一结果:在足够强的相互作用下,四分之一填充的 Haldane 模型是具有单位陈数的铁磁拓扑 Mott 绝缘体。讨论了在冷原子与固态系统中的可能实验实现。
引用
@article{arxiv.2207.01638,
title = {Topological Mott Insulator at Quarter Filling in the Interacting Haldane Model},
author = {Peizhi Mai and Benjamin E. Feldman and Philip W. Phillips},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.01638},
year = {2023}
}