来自光响应的相互作用随机拓扑与 Mott 转变
强关联电子
2021-01-20 v5 介观与纳米尺度物理
高能物理 - 理论
数学物理
math.MP
量子物理
摘要
我们发展了相互作用 Chern 绝缘子中拓扑性质的随机描述。通过平均场变分方法，并辅以密度矩阵重整化群结果与 Ginzburg-Landau 论证，我们确认了蜂窝结构上相互作用 Haldane 模型中的 Mott 转变的一级性质。基于 Bloch 球，我们对与晶格上及存在相互作用时的量子 Hall 电导率相关的光的圆二色性作出预测。该分析表明拓扑数可由 Dirac 点处的光响应测得。电子-电子相互作用也能在带隙之上产生大量的粒子-空穴对，这引导我们提出“随机 Chern 数”作为拓扑的相互作用度量。随机 Chern 数可描述具有涨落交错势的无序情形，并且我们在相互作用诱导的粒子-空穴对与温度效应之间建立了类比。我们的随机方法物理直观、易于实现，并为进一步的相互作用效应研究开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2002.01742,
title = {Interacting Stochastic Topology and Mott Transition from Light Response},
author = {Philipp W. Klein and Adolfo G. Grushin and Karyn Le Hur},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.01742},
year = {2021}
}
备注
20 pages, 13 Figures, Table I, version to be published in Physical Review B