相互作用 Haldane 模型中的拓扑 Anderson 绝缘相
强关联电子
2024-09-19 v2
摘要
我们分析了无序和强关联对二维 Chern 绝缘体拓扑性质的影响。在具有扩展 Hubbard 相互作用和 Anderson 无序的半填充 Haldane 模型中的平均场计算表明，在无序情况下无序有利于拓扑，并将拓扑相扩展到更大的 Hubbard 参数区域。在没有交错势的情况下，我们发现了一种新颖的无序驱动拓扑相，其 Chern 数 C=1，且拓扑与长程自旋和电荷序共存。在存在有限交错势的情况下，也发现了更常规的拓扑 Anderson 绝缘相。
引用
@article{arxiv.2307.16053,
title = {Topological Anderson insulating phases in the interacting Haldane model},
author = {Joao S. Silva and Eduardo V. Castro and Rubem Mondaini and María A. H. Vozmediano and M. Pilar López-Sancho},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.16053},
year = {2024}
}